 |
| 2N60 корпус |
2N60 высоковольтный кремниевый N-канальный полевой транзистор, разработанный специально с такими характеристиками, как быстрое время переключения, низкая ёмкость затвора, низкое сопротивление во включенном состоянии.
Предназначен мощный полевой МОП-транзистор 2N60 для использования в высокоскоростных коммутационных системах, в источниках питания, для ШИМ управления двигателями, высокоэффективных преобразователей постоянного тока и других схемах широкого назначения
Основные параметры транзистора 2N60
- Напряжение сток-исток: 600 Вольт
- Ток сток-исток при 25°C: 2 Ампер
- Импульсный максимальный ток: 8 Ампер
- Напряжение затвор-исток: ±30 Вольт
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 3,6 Ом
- Входная ёмкость: 300 пФ
- Задержка включения: 40 нС
- Задержка выключения: 90 нС
- Рассеиваемая мощность: 22-54 Ватт (в зависимости от типа корпуса)
- Пороговое напряжение на затворе: 2-4 Вольт
- Максимальный прямой ток внутреннего диода: 2 Ампер
- Импульсный ток внутреннего диода: 8 Ампер
- Время восстановления внутреннего диода: 180 нС
 |
| Зависимость рассеиваемой мощности от типа корпуса 2N60 |
Аналоги транзистора 2N60: SPD02N60C3, STD2NM60T4, SPD02N60S5, STD2NM60T4, 2SK1721, IRF820S, STB3NB60, IRFS9N60A, STD2NB60, IRFS9N60A, 2SK892, IRFD420.
