Кремниевые биполярные транзисторы КТ815 выполнены по эпитаксиально-планарной технологии, имеют структуру n-p-n. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
На основные и предельно допустимые электрические режимы эксплуатации и
характеристики транзистора КТ815 можно посмотреть на таблицах внизу.
 |
| Основные электрические параметры КТ815 |
 |
| Предельно допустимые электрические режимы КТ815 |
Диапазон рабочих температур транзистора КТ815 от -60 до +125 °C, комплементарная пара для транзистора КТ815 является транзистор КТ814.
Аналоги транзистора КТ815: BD135, BD137, BD139.
